RGHX5TSX2DFHR (Neues Produkt)
Hochgeschwindigkeits-Schalttransistor, 1200 V 79 A, FRD integriert, TO-247, Field Stop Trench IGBT für Automotive
RGHX5TSX2DFHR (Neues Produkt)
Hochgeschwindigkeits-Schalttransistor, 1200 V 79 A, FRD integriert, TO-247, Field Stop Trench IGBT für Automotive
RGHX5TSX2DFHR ist ein IGBT mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, geeignet für Automotive, On- & Off-Board-Ladegeräte, DC-DC-Wandler und PFC. Dieses Produkt entspricht der AEC-Q101-Qualifizierung.
Produktdetails
Spezifikationen:
Series
H: High speed SW
VCES [V]
1200
IC(100°C)[A]
79
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.75
tf(Typ.) [ns]
99
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
454
BVCES (Min.)[V]
1200
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- AEC-Q101 qualifiziert
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Geringe Schaltverluste und sanftes Schalten
- Integrierte sehr schnelle und weiche Recovery FRD
- Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
