RGS60TS65DHR
8 µs Kurzschluss-Toleranz, 650V 30A, eingebaute FRD, TO-247N, Feldstopp-Trench-IGBT für die Automobilelektronik
RGS60TS65DHR
8 µs Kurzschluss-Toleranz, 650V 30A, eingebaute FRD, TO-247N, Feldstopp-Trench-IGBT für die Automobilelektronik
ROHM's IGBT Produkte unterstützen stromsparende Hochleistung und verschiedene Hochspannungs- und Hochstrombereiche.
Produktdetails
Spezifikationen:
Series
S: For inverter (tsc 8-10µs)
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
30
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.65
tf(Typ.) [ns]
101
tsc(Min.) [us]
8
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
223
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
16x21 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- Short Circuit Withstand Time 8μs
- Qualified to AEC-Q101
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
