RGT16NS65D(TO-262)
5 µs Kurzschluss-Toleranz, 650V 8A, eingebaute FRD, TO-262, Feldstopp-Trench-IGBT

ROHM's IGBT Produkte unterstützen stromsparende Hochleistung und verschiedene Hochspannungs- und Hochstrombereiche.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RGT16NS65DGC9
Status | Aktiv
Gehäuse | TO-262
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 50
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Series

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

8

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

95

tsc(Min.) [us]

5

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

94

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

10.1x9 (t=4.7)

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