5 µs Kurzschluss-Toleranz, 650V 20A, eingebaute FRD, LPDS, Feldstopp-Trench-IGBT - RGT40NS65D(LPDS)

ROHM's IGBT Produkte unterstützen stromsparende Hochleistung und verschiedene Hochspannungs- und Hochstrombereiche.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | RGT40NS65DGTL
Status | Empfohlen
Gehäuse | LPDS
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Series

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

20

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

60

tsc(Min.) [us]

5

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

161

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Eigenschaften:

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5us
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant