RGT50NS65D(LPDS)
5 µs Kurzschluss-Toleranz, 650V 25A, eingebaute FRD, LPDS, Feldstopp-Trench-IGBT

ROHM's IGBT Produkte unterstützen stromsparende Hochleistung und verschiedene Hochspannungs- und Hochstrombereiche.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RGT50NS65DGTL
Status | Empfohlen
Gehäuse | LPDS
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Series

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

25

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

65

tsc(Min.) [us]

5

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

194

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

10.1x13.1 (t=4.7)

Eigenschaften:

  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
  • Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 5µs
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
  • Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant