RGT50NS65D(TO-262)
5 µs Kurzschluss-Toleranz, 650V 25A, eingebaute FRD, TO-262, Feldstopp-Trench-IGBT
Für neue Designs nicht empfohlen
RGT50NS65D(TO-262)
5 µs Kurzschluss-Toleranz, 650V 25A, eingebaute FRD, TO-262, Feldstopp-Trench-IGBT
Produkte, die nicht für neue Designs verwendet werden können (Nicht empfohlen für Designabweichungen).
Produktdetails
Spezifikationen:
Series
T: For inverter (tsc 5µs)
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
25
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.65
tf(Typ.) [ns]
65
tsc(Min.) [us]
5
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
194
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
9.0x10.1 (t=4.7)
Eigenschaften:
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
- Low Switching Loss
- Short Circuit Withstand Time 5µs
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
- Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant
