RGT8BM65D
5 µs Kurzschluss-Toleranz, 650V 4A, eingebaute FRD, TO-252, Feldstopp-Trench-IGBT
Für neue Designs nicht empfohlen
RGT8BM65D
5 µs Kurzschluss-Toleranz, 650V 4A, eingebaute FRD, TO-252, Feldstopp-Trench-IGBT
Produkte, die nicht für neue Designs verwendet werden können (Nicht empfohlen für Designabweichungen).
Produktdetails
Spezifikationen:
Series
T: For inverter (tsc 5µs)
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
8
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.65
tf(Typ.) [ns]
71
tsc(Min.) [us]
5
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
62
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
10.0x6.6 (t=2.3)
Eigenschaften:
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5us
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
