5 µs Kurzschluss-Toleranz, 650V 4A, eingebaute FRD, LPDL, Feldstopp-Trench-IGBT - RGT8NL65D

Der RGT8NL65D ist ein Fieldstop-Trench-IGBT mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, der für allgemeine Wechselrichter, USVs, Leistungskonditionierer und Schweißgeräte geeignet ist.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | RGT8NL65DGTL
Status | Empfohlen
Gehäuse | LPDL
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Series

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

4

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

71

tsc(Min.) [us]

5

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

65

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Eigenschaften:

  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 5μs
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
  • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant