RGTH00TK65D
Hochgeschwindigkeitsschalter, 650V 50A, eingebaute FRD, TO-3PFM, Feldstopp-Trench-IGBT
RGTH00TK65D
RGTH00TK65D
Hochgeschwindigkeitsschalter, 650V 50A, eingebaute FRD, TO-3PFM, Feldstopp-Trench-IGBT
ROHM's IGBT Produkte unterstützen stromsparende Hochleistung und verschiedene Hochspannungs- und Hochstrombereiche.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Series
TH: High speed SW
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
21
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.6
tf(Typ.) [ns]
50
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
72
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
16x21 (t=5.2)
Eigenschaften:
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
- High Speed Switching
- Low Switching Loss & Soft Switching
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
- Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant
