Hochgeschwindigkeitsschalter, 650V 50A, eingebaute FRD, TO-3PFM, Feldstopp-Trench-IGBT - RGTH00TK65D

ROHM's IGBT Produkte unterstützen stromsparende Hochleistung und verschiedene Hochspannungs- und Hochstrombereiche.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | RGTH00TK65DGC11
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-3PFM
Einheitenmenge | 450
Minimale Gehäusemenge | 450
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Series

TH: High speed SW

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

21

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.6

tf(Typ.) [ns]

50

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

72

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Eigenschaften:

  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
  • High Speed Switching
  • Low Switching Loss & Soft Switching
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
  • Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant