2 µs Kurzschluss-Toleranz, 650V 50A, eingebaute FRD, TO-3PFM, Feldstopp-Trench-IGBT - RGTV00TK65D

Der RGTV00TK65D ist ein IGBT mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, der für PFC, Solar-Wechselrichter, USVs, Schweißgeräte und IH-Anwendungen geeignet ist.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | RGTV00TK65DGC11
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-3PFM
Einheitenmenge | 450
Minimale Gehäusemenge | 30
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Series

TV: For inverter (tsc 2µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

26

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.5

tf(Typ.) [ns]

38

tsc(Min.) [us]

2

Built-in Diode

FRD

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Eigenschaften:

  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • High Speed Switching & Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 2μs
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
  • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant