RGTV00TK65D
2 µs Kurzschluss-Toleranz, 650V 50A, eingebaute FRD, TO-3PFM, Feldstopp-Trench-IGBT
RGTV00TK65D
RGTV00TK65D
2 µs Kurzschluss-Toleranz, 650V 50A, eingebaute FRD, TO-3PFM, Feldstopp-Trench-IGBT
Der RGTV00TK65D ist ein IGBT mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, der für PFC, Solar-Wechselrichter, USVs, Schweißgeräte und IH-Anwendungen geeignet ist.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Series
TV: For inverter (tsc 2µs)
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
26
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.5
tf(Typ.) [ns]
38
tsc(Min.) [us]
2
Built-in Diode
FRD
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
16x21 (t=5.2)
Eigenschaften:
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- High Speed Switching & Low Switching Loss
- Short Circuit Withstand Time 2μs
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
