RGW00TS65CHR
Schnell schaltender Hochgeschwindigkeits-Hybrid-IGBT (650 V, 50 A) für die Automobilindustrie mit integriertem SiC-SBD
Für neue Designs nicht empfohlen
RGW00TS65CHR
Schnell schaltender Hochgeschwindigkeits-Hybrid-IGBT (650 V, 50 A) für die Automobilindustrie mit integriertem SiC-SBD
Produkte, die nicht für neue Designs verwendet werden können (Nicht empfohlen für Designabweichungen).
Produktdetails
Spezifikationen:
Series
W: High speed fast SW
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
50
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.5
tf(Typ.) [ns]
40
Built-in Diode
SiC-SBD
Pd [W]
254
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- AEC-Q101 Qualified
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- Low Switching Loss & Soft Switching
- Built in No Recovery Silicon Carbide SBD
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
