RGW00TS65CHR (Neues Produkt)
Schnell schaltender Hochgeschwindigkeits-Hybrid-IGBT (650 V, 50 A) für die Automobilindustrie mit integriertem SiC-SBD

Die RGWxx65C-Serie umfasst 650-V-IGBTs mit einer eingebauten SiC-Schottky-Diode, die die Einschaltverluste reduziert. Es handelt sich um ein AEC-Q101-konformes Produkt. Er kann selbst in rauen Umgebungen wie xEV-Onboard-Ladegeräten, DC/DC-Wandlern, Solarstrom-Konditionierern und USV zuverlässig eingesetzt werden.

Produktdetails

 
Teilenummer | RGW00TS65CHRC11
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-247N
Einheitenmenge | 450
Minimale Gehäusemenge | 30
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Common Standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

Series

W: High speed fast SW

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

50

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.5

tf(Typ.) [ns]

40

Built-in Diode

SiC-SBD

Pd [W]

254

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

16x21 (t=5.2)

Eigenschaften:

  • AEC-Q101 Qualified
  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • Low Switching Loss & Soft Switching
  • Built in No Recovery Silicon Carbide SBD
  • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant