RGW50TK65D
Hochgeschwindigkeitsschalter, 650V 18A, eingebaute FRD, TO-3PFM, Feldstopp-Trench-IGBT
RGW50TK65D
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Hochgeschwindigkeitsschalter, 650V 18A, eingebaute FRD, TO-3PFM, Feldstopp-Trench-IGBT
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Produktdetails
Spezifikationen:
Series
W: High speed fast SW
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
18
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.5
tf(Typ.) [ns]
53
Built-in Diode
FRD
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Eigenschaften:
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- High Speed Switching
- Low Switching Loss & Soft Switching
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
