SG6403WN (Neues Produkt)
650 V 80 A Insulated Gate Bipolar Transistor
SG6403WN
SG6403WN (Neues Produkt)
650 V 80 A Insulated Gate Bipolar Transistor
Anwendung: Solarwechselrichter, USV, Schweißen, IH, PFC
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Produktdetails
Teilenummer | SG6403WNAMU03
Status |
Empfohlen
Gehäuse |
Einheitenmenge | 0
Minimale Gehäusemenge | 0
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Series
T: For inverter (tsc 2µs)
VCES [V]
650
IC(Nominal) [A] / IF(Nominal) [A]
80
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.5
tsc(Min.) [us]
2
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
Eigenschaften:
- Trench Light Punch Through Typ
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Hohe Schaltgeschwindigkeit und geringe Schaltverluste
- Kurzschlussfestigkeit 2 μs
