SG8358WN (Neues Produkt)
7µs Kurzschlussfestigkeit, 650V 75A, IGBT-Chip
SG8358WN (Neues Produkt)
7µs Kurzschlussfestigkeit, 650V 75A, IGBT-Chip
Anwendung: Allgemeine Wechselrichter für den Automotive- und Industriebereich, Heizungen für den Automotive-Bereich, Relaisschaltkreise (z. B. Vorladeschütz).
Für den Verkauf von Bare-Dies wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsbüro, um die Spezifikationen zu erfahren. Derzeit verkaufen wir keine Bare-Dies über Online-Distributoren.
Produktdetails
Spezifikationen:
Series
A: For inverter (tsc 7-10µs)
VCES [V]
650
IC(Nominal) [A] / IF(Nominal) [A]
75
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.55
tsc(Min.) [us]
7
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
Eigenschaften:
- Trench Light Punch-Through-Typ
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Kurzschlussfestigkeit 7 μs
