SG8359WN (Neues Produkt)
IGBT-Chip, 7 µs Kurzschlussfestigkeit, 650 V, 40 A
SG8359WN (Neues Produkt)
IGBT-Chip, 7 µs Kurzschlussfestigkeit, 650 V, 40 A
Anwendung: Allgemeine Wechselrichter für Automotive und Industrie, Heizungen für Automotive, Relaisschaltungen (z.B. Vorladung-Relais)
Für den Verkauf von Bare Dies kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsbüro für die Spezifikationen. Derzeit verkaufen wir keine Bare Dies über Internetdistributoren.
Produktdetails
Spezifikationen:
Series
A: For inverter (tsc 7-10µs)
VCES [V]
650
IC(Nominal) [A] / IF(Nominal) [A]
40
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.55
tsc(Min.) [us]
7
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
Eigenschaften:
- Trench Light Punch Through Typ
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Kurzschlussfestigkeit 7 μs
