BM63767S-VA
600 V IGBT Intelligentes Leistungsmodul (IPM) für Hochgeschwindigkeitsschaltung

BM63767S-VA ist ein intelligentes Energiemodul bestehend aus Gate-Treibern, Bootstrap-Dioden, IGBTs und schnellen Schwungraddioden.

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Produktdetails

 
Teilenummer | BM63767S-VA
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSDIP25
Einheitenmenge | 60
Minimale Gehäusemenge | 60
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Power Device

IGBT

VCES [V]

600

IC [A]

30

Vce(sat) [V]

1.7

Reccomended Switching Frequency [kHz]

~20

Isolation Voltage [Vrms]

1500

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package Size [mm]

38x24 (t=3.75)

Eigenschaften:

  • 3-Phasen DC/AC-Wechselrichter
  • 600 V/30 A
  • Low-Side-IGBT offener Emitter
  • Integrierte Bootstrap-Diode
  • High-Side-IGBT Gate-Treiber (HVIC): SOI-Prozess (Silicon-On-Insulator), Treiberschaltung, Hochspannungs-Pegelumsetzer, Stromgrenze für Bootstrap-Diode, Spannungsversorgung Unterspannungs-Sperrfunktion (UVLO)
  • Low-Side-IGBT Gate-Treiber (LVIC): Treiberschaltung, Kurzschlussschutz (Short Circuit Current Protection, SCP), Spannungsversorgung Unterspannungs-Sperrfunktion (Under Voltage Locked Out, UVLO), Thermische Abschaltung (Thermal Shutdown, TSD)
  • Fehlersignal (LVIC) entsprechend dem Kurzschlussschutz (SCP) (Low-Side-IGBT), TSD, UVLO-Fehler
  • Eingangsschnittstelle 3,3 V, 5-V-Leitung

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Technische Artikel

Schematic Design & Verification

  • Method for Monitoring Switching Waveform

Thermal Design

  • What Is Thermal Design
  • Method for Calculating Junction Temperature from Transient Thermal Resistance Data
  • Notes for Temperature Measurement Using Thermocouples
  • Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction

Packaging & Qualität

Package Information

  • Package Information
  • Anti-Whisker formation

Manufacturing Data

  • Reliability Test Result

Environmental Data

  • Constitution Materials List
  • About Flammability of Materials
  • Compliance of the ELV directive
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