BM63767S-VC
600 V IGBT Intelligentes Leistungsmodul (IPM) für Hochgeschwindigkeitsschaltung
BM63767S-VC
BM63767S-VC
600 V IGBT Intelligentes Leistungsmodul (IPM) für Hochgeschwindigkeitsschaltung
BM63767S-VC ist ein intelligentes Energiemodul bestehend aus Gate-Treibern, Bootstrap-Dioden, IGBTs und schnellen Schwungraddioden.
Data Sheet
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Produktdetails
Teilenummer | BM63767S-VC
Status |
Aktiv
Gehäuse |
HSDIP25VC
Gehäusetyp | Tube
Einheitenmenge | 60
Minimale Gehäusemenge | 60
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Power Device
IGBT
VCES [V]
600
IC [A]
30
Vce(sat) [V]
1.7
Reccomended Switching Frequency [kHz]
～20
Isolation Voltage [Vrms]
1500
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
125
Package Size [mm]
38x24 (t=3.75)
Eigenschaften:
- 3-Phasen DC/AC-Wechselrichter
- 600 V/30 A
- Low-Side-IGBT offener Emitter
- Integrierte Bootstrap-Diode
- High-Side-IGBT Gate-Treiber (HVIC): SOI-Prozess (Silicon-On-Insulator), Treiberschaltung, Hochspannungs-Pegelumsetzer, Stromgrenze für Bootstrap-Diode, Spannungsversorgung Unterspannungs-Sperrfunktion (UVLO)
- Low-Side-IGBT Gate-Treiber (LVIC): Treiberschaltung, Kurzschlussschutz (Short Circuit Current Protection, SCP), Spannungsversorgung Unterspannungs-Sperrfunktion (Under Voltage Locked Out, UVLO), Thermische Abschaltung (Thermal Shutdown, TSD)
- Fehlersignal (LVIC) entsprechend dem Kurzschlussschutz (SCP) (Low-Side-IGBT), TSD, UVLO-Fehler
- Eingangsschnittstelle 3,3 V, 5-V-Leitung
