BR24G02FJ-3
I²C BUS 2kbit (256x8bit) EEPROM

ROHM's serielle Hochleistungs-EEPROMs haben einen großen Marktanteil und sind in verschiedenen Kapazitäten, Busschnittstellen (Microwire, I²C, SPI), Betriebsspannungen (1,7 V bis 5,5 V, 1,8 V bis 5,5 V, 2,5 V bis 5,5 V, 3,0 V bis 3,6 V) und Gehäusearten verfügbar und dadurch ideal für akkubetriebene Geräte. Die gesamte Serie ist sowohl bleifrei als auch RoHS-konform.

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Produktdetails

 
Teilenummer | BR24G02FJ-3GTE2
Status | Aktiv
Gehäuse | SOP-J8
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Series

BR24G-3

Density [bit]

2K

Bit Format [Word x Bit]

256 x 8

Comment

Cu wire bonding.

Vcc(Min.)[V]

1.6

Vcc(Max.)[V]

5.5

Circuit Current (Max.)[mA]

2

Standby Current (Max.)[μA]

2

Write Cycle (Max.)[ms]

5

Input Frequency (Max.)[Hz]

400k

Endurance (Max.)[Cycle]

106

Data Retention (Max.)[Year]

40

I/F

I2C BUS(2-Wire)

Operating Temperature (Min.)[°C]

-40

Operating Temperature (Max.)[°C]

85

Package Size [mm]

4.9x6 (t=1.65)

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Eigenschaften:

  • Completely Conforming to the World Standard I²C BUS.
    All Controls Available by 2 Ports of Serial Clock (SCL) and Serial Data (SDA)
  • Other Devices than EEPROM can be Connected to the Same Port, Saving Microcontroller Port
  • 1.6V to 5.5V Single Power Source Operation Most Suitable for Battery Use
  • 1.6V to 5.5V Wide Limit of Operating Voltage, Possible FAST MODE 400KHz Operation
  • Up to 8 Byte in Page Write Mode
  • Bit Format 256 x 8
  • Self-timed Programming Cycle
  • Low Current Consumption
  • Prevention of Write Mistake
    Write (Write Protect) Function Added
    Prevention of Write Mistake at Low Voltage
  • More than 1 Million Write Cycles
  • More than 40 Years Data Retention
  • Noise Filter Built in SCL / SDA Terminal
  • Initial Delivery State FFh
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