QS6K21FRA
45V Dual-N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
QS6K21FRA
45V Dual-N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Komplexe MOSFETs (N+N) werden durch Mikrobearbeitungstechnologien als Bauteile mit niedrigem Einschaltwiderstand hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Eine breite Produktpalette, die kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen abdeckt, um den verschiedenen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-457T
JEITA Package
SC-95
Number of terminal
6
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
45
Drain Current ID[A]
1
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.415
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.31
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.3
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.415
Total gate charge Qg[nC]
1.5
Power Dissipation (PD)[W]
1.25
Drive Voltage[V]
2.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x2.9 (t=1.0)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
· 2.5V-Treiber· Dual-N-Kanal-MOSFET mit mittlerer Leistung
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
