QS6K21FRA
2,5 V Antriebs-Nch+Nch-MOSFET (entspricht AEC-Q101)

Komplexe MOSFETs (N+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

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Produktdetails

 
Teilenummer | QS6K21FRATR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSMT6
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Automotive

Common Standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

Package Code

SOT-457T

Package Size [mm]

2.9x2.8 (t=1)

JEITA Package

SC-95

Number of terminal

6

Polarity

Nch+Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

45

Drain Current ID[A]

1.0

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.415

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.31

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.3

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.415

Total gate charge Qg[nC]

1.5

Power Dissipation (PD)[W]

1.25

Drive Voltage[V]

2.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· 2,5-Ｖ-Motor
· N-Kanal+N-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
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Technische Artikel

Schematic Design & Verification

  • Temperature derating method for Safe Operating Area (SOA)
  • Calculation of Power Dissipation in Switching Circuit
  • Method for Monitoring Switching Waveform
  • Importance of Probe Calibration When Measuring Power: Deskew
  • Impedance Characteristics of Bypass Capacitor

Thermal Design

  • What Is Thermal Design
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  • Measurement Method and Usage of Thermal Resistance RthJC
  • Precautions When Measuring the Rear of the Package with a Thermocouple

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Characteristics Data

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Packaging & Qualität

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