QS8J4HZG
-30V Pch+Pch Kleinsignal-MOSFETs
QS8J4HZG
QS8J4HZG
-30V Pch+Pch Kleinsignal-MOSFETs
Der QS8J4HZG ist ein MOSFET für Schaltanwendungen. Es handelt sich um ein hochzuverlässiges Produkt in Automobilqualität, das nach AEC-Q101 zertifiziert ist.
Produktdetails
Teilenummer | QS8J4HZGTR
Status |
In Entwicklung
Gehäuse |
TSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
Pch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-4
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.06
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.055
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.06
Total gate charge Qg[nC]
8.4
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3x2.8 (t=0.85)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Low on - resistance
- Built-in G-S protection diode
- Small surface mount package(TSMT8)
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
- AEC-Q101 Qualified
