QS8J4HZG
-30V Dualer P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
QS8J4HZG
-30V Dualer P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Der QS8J4HZG ist ein MOSFET für Schaltanwendungen. Es handelt sich um ein hochzuverlässiges Produkt der Automotive-Klasse, das nach AEC-Q101 qualifiziert ist.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
P+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-4
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.06
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.055
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.06
Total gate charge Qg[nC]
8.4
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Eingebaute G-S-Schutzdiode
- Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT8)
- Bleifreie Verbleiung, RoHS-konform
- AEC-Q101 qualifiziert
