QS8M51HZG
100V, komplementärer Kleinsignal-MOSFET
QS8M51HZG
100V, komplementärer Kleinsignal-MOSFET
Der QS8M51HZG ist ein MOSFET für Schaltanwendungen. Es handelt sich um ein hochzuverlässiges Produkt in Automobilqualität, das für AEC-Q101 qualifiziert ist.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
N+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
2
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.26
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.25
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.24
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.26
Total gate charge Qg[nC]
4.7
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Kleines oberflächenmontiertes Gehäuse (TSMT8)
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
- AEC-Q101 qualifiziert
