AG166FNH7FRA (Neues Produkt)
Automotive N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 80 V / 40 A, kompaktes DFN-Gehäuse
AG166FNH7FRA (Neues Produkt)
Automotive N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 80 V / 40 A, kompaktes DFN-Gehäuse
AG166FNH7FRA ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET in Automobilqualität, der AEC-Q101-konform ist und eine Nennspannung von 80 V aufweist. Er eignet sich für Automotive-Anwendungen wie 48-V-Stromversorgungssysteme, Motorantriebe und DC-DC-Wandler. Das Bauteil verwendet ein kompaktes DFN3333T8LSAB-Gehäuse, das eine hochdichte Leiterplattenbestückung ermöglicht. Seine benetzbare Flankenstruktur verbessert die Inspektionsfähigkeit der Lötstellen und unterstützt eine zuverlässige Montage für Automotive-Anwendungen.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN3333T8LSAB
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
80
Drain Current ID[A]
40
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0129
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.009
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.0129
Total gate charge Qg[nC]
9.8
Power Dissipation (PD)[W]
62
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
37
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
175
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=1.1)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- AEC-Q101 qualifiziert
- 100 % Lawinen-getestet
