RD3S100AAFRA
Nch 190V 10A Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
RD3S100AAFRA
Nch 190V 10A Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
Der RD2S100AAFRA ist ein Leistungs-MOSFET für Schaltnetzteile.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
190
Drain Current ID[A]
10
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.136
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.13
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.136
Total gate charge Qg[nC]
52
Power Dissipation (PD)[W]
85
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
10.0x6.6 (t=2.3)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Parallel use is easy.
- RoHS compliant
- AEC-Q101 Qualified
Produktvideo & Katalog
