AG513EGH7FRA (Neues Produkt)
P-Kanal -40V -22A, DFN3333T8LSAB, Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
AG513EGH7FRA (Neues Produkt)
P-Kanal -40V -22A, DFN3333T8LSAB, Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
Der AG513EGH7FRA ist ein für die Automobilindustrie geeigneter MOSFET, der AEC-Q101-qualifiziert ist. Ideal für Automobilsysteme.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN3333T8LSAB
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-40
Drain Current ID[A]
-22
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0049
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0038
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.0049
Total gate charge Qg[nC]
7
Power Dissipation (PD)[W]
33
Drive Voltage[V]
4.5
trr (Typ.)[ns]
21
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
175
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=1.1)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Produkt mit benetzbaren Flanken
- AEC-Q101 qualifiziert
- 100% Avalanche getestet
