RD3E04BBJHRT (Neues Produkt)
P-Kanal 30 V -40 A, TO-252 (DPAK), Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
RD3E04BBJHRT (Neues Produkt)
P-Kanal 30 V -40 A, TO-252 (DPAK), Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
RD3E04BBJHRT ist ein Automotive-tauglicher MOSFET, der AEC-Q101-qualifiziert ist. Ideal für ADAS, Info-, Beleuchtungs- und Karosserieanwendungen.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Number of terminal
3
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-40
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0173
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0116
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.0173
Total gate charge Qg[nC]
15.1
Power Dissipation (PD)[W]
53
Drive Voltage[V]
4.5
trr (Typ.)[ns]
27
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
175
Package Size [mm]
10.0x6.6 (t=2.3)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
- 100 % Avalanche-getestet
- AEC-Q101-qualifiziert
