RH7E04BBJFRA (Neues Produkt)
P-Kanal -30 V, -40 A, DFN3333T8LSAB, Power-MOSFET für die Automobilindustrie
RH7E04BBJFRA (Neues Produkt)
P-Kanal -30 V, -40 A, DFN3333T8LSAB, Power-MOSFET für die Automobilindustrie
Der RH7E04BBJFRA ist ein AEC-Q101-qualifizierter Automotive-MOSFET. Ideal für ADAS, Infotainment, Beleuchtung und Karosserie.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN3333T8LSAB
Number of terminal
8
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-40
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0087
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0058
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.0087
Total gate charge Qg[nC]
34
Power Dissipation (PD)[W]
75
Drive Voltage[V]
-4.5
trr (Typ.)[ns]
35
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
175
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=1.1)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Flankenkontaktierung verfügbar
- AEC-Q101 qualifiziert
- 100 % Lawinen getestet
