RH7L02BBJFRA (Neues Produkt)
P-Kanal –60 V –18 A, DFN3333T8LSAB, Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
RH7L02BBJFRA (Neues Produkt)
P-Kanal –60 V –18 A, DFN3333T8LSAB, Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
RH7L02BBJFRA ist ein MOSFET in Automobilqualität, der AEC-Q101-qualifiziert ist. Ideal für ADAS, Infotainment, Beleuchtung und Karosserieelektronik.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN3333T8LSAB
Number of terminal
8
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-60
Drain Current ID[A]
18
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.086
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.075
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.086
Total gate charge Qg[nC]
7
Power Dissipation (PD)[W]
34
Drive Voltage[V]
-4.5
trr (Typ.)[ns]
26
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
175
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=1.1)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Benetzbare Flanken
- AEC-Q101-qualifiziert
- 100 % Lawinentest
