RH7L04BBJFRA (Neues Produkt)
P-Kanal -60 V -40 A, DFN3333T8LSAB, Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
RH7L04BBJFRA (Neues Produkt)
P-Kanal -60 V -40 A, DFN3333T8LSAB, Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
Der RH7L04BBJFRA ist ein AEC-Q101-qualifizierter Automotive-MOSFET. Er ist ideal für ADAS sowie Info-, Beleuchtungs- und Karosserieanwendungen geeignet.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN3333T8LSAB
Number of terminal
8
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-60
Drain Current ID[A]
40
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.021
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.018
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.021
Total gate charge Qg[nC]
24
Power Dissipation (PD)[W]
75
Drive Voltage[V]
-4.5
trr (Typ.)[ns]
28
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
175
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=1.1)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Produkt mit benetzbaren Flanken
- AEC-Q101 qualifiziert
- 100% Avalanche-geprüft
