RQ3L120BJFRA
P-Kanal –60 V –12 A, HSMT8AG, Power-MOSFET für Automotive
RQ3L120BJFRA
P-Kanal –60 V –12 A, HSMT8AG, Power-MOSFET für Automotive
Der RQ3L120BJFRA ist ein Automotive MOSFET, der AEC-Q101-qualifiziert ist. Er ist ideal für ADAS sowie Infotainment-, Beleuchtungs- und Karosserieanwendungen.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8AG
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-60
Drain Current ID[A]
-12
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.092
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.083
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.092
Total gate charge Qg[nC]
7.2
Power Dissipation (PD)[W]
40
Drive Voltage[V]
-4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Kleines, leistungsstarkes Gehäuse
- Hohe Montagezuverlässigkeit durch Originalanschluss und Plattierungsbehandlung
- AEC-Q101-qualifiziert
