RCX511N25
10 V Antriebs-Nch-MOSFET

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RCX511N25
Status | Aktiv
Gehäuse | TO-220FM
Einheitenmenge | 500
Minimale Gehäusemenge | 500
Gehäusetyp | Bulk
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TO-220FM

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

250

Drain Current ID[A]

51

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.048

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.048

Total gate charge Qg[nC]

120

Power Dissipation (PD)[W]

40

Drive Voltage[V]

10

Mounting Style

Leaded type

Bare Die Part Number

Available: K6501

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

10.1x15.1 (t=4.8)

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