RD3S100CN
Nch 190V 10A Leistungs-MOSFET
RD3S100CN
Nch 190V 10A Leistungs-MOSFET
Der RD3S100CN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
190
Drain Current ID[A]
10
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.136
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.13
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.136
Total gate charge Qg[nC]
52
Power Dissipation (PD)[W]
85
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K6565
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.2x6.6 (t=2.4)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Drive circuits can be simple
- Parallel use is easy
- Pb-free plating ; RoHS compliant
Produktvideo & Katalog
