R6003KND3
600V 3A TO-252, Leistungs-MOSFET für Hochgeschwindigkeitsschalter

Der R6003KND3 ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.

Data Sheet Kaufen *
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.

Produktdetails

 
Teilenummer | R6003KND3TL1
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-252
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
RoHS | Ja
Product Longevity Program | 9 Years

Spezifikationen:

Package Code

TO-252 (DPAK)

JEITA Package

SC-63

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

600

Drain Current ID[A]

3

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

1.3

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

1.3

Total gate charge Qg[nC]

8

Power Dissipation (PD)[W]

44

Drive Voltage[V]

10

Trr (Typ)[ns]

240

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K8016

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

6.6x10.0 (t=2.4)

Find Similar

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Ultra fast switching speed
  • Parallel use is easy
  • Pb-free plating ; RoHS compliant
X

Most Viewed