R6010YND3
600 V 10 A, TO-252 (DPAK), Hochgeschwindigkeits-Schalt-Leistungs-MOSFET
R6010YND3
600 V 10 A, TO-252 (DPAK), Hochgeschwindigkeits-Schalt-Leistungs-MOSFET
R6010YND3 ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und schnellem Schaltverhalten, geeignet für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
600
Drain Current ID[A]
10
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.35
RDS(on)[Ω] VGS=12V(Typ)
0.324
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.35
Total gate charge Qg[nC]
15
Power Dissipation (PD)[W]
92
Drive Voltage[V]
10
trr (Typ.)[ns]
230
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
9.9x6.6 (t=2.4)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Schnelles Schalten
- Einfache Treiberschaltungen
- Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
- Halogenfreie Formmasse
