R6025JNZ4
Nch 600V 25A Leistungs-MOSFET mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Diode
R6025JNZ4
Nch 600V 25A Leistungs-MOSFET mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Diode
Der R6025JNZ4 ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Sperrverzögerungszeit (trr), der für Schaltanwendungen geeignet ist.
PrestoMOS™ Serie, Die R60xxJNx Serie erhöht die Designflexibilität bei gleichzeitiger Beibehaltung der branchenweit schnellsten Reverse-Recovery-Zeit (trr), optimiert für EV-Ladestationen und Motorantriebe in Haushaltsgeräten, wie Kühlschränken und Klimaanlagen (ACs).
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-247AD
Applications
Motor, Inverter
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
600
Drain Current ID[A]
25
RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ)
0.14
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.14
Total gate charge Qg[nC]
57
Power Dissipation (PD)[W]
306
Drive Voltage[V]
15
Trr (Typ)[ns]
90
Mounting Style
Leaded type
Bare Die Part Number
Available: K7807
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
20.95x15.94 (t=5.22)
Eigenschaften:
- Fast reverse recovery time (trr)
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Drive circuits can be simple
- Pb-free plating ; RoHS compliant
