R6025JNZ4
Nch 600V 25A Leistungs-MOSFET mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Diode
R6025JNZ4
R6025JNZ4
Nch 600V 25A Leistungs-MOSFET mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Diode
Der R6025JNZ4 ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Sperrverzögerungszeit (trr), der für Schaltanwendungen geeignet ist.
PrestoMOS™ Serie, Die R60xxJNx Serie erhöht die Designflexibilität bei gleichzeitiger Beibehaltung der branchenweit schnellsten Reverse-Recovery-Zeit (trr), optimiert für EV-Ladestationen und Motorantriebe in Haushaltsgeräten, wie Kühlschränken und Klimaanlagen (ACs).
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Grade
Standard
Package Code
TO-247AD
Package Size [mm]
15.94x20.95 (t=5.22)
Applications
Motor, Inverter
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
600
Drain Current ID[A]
25.0
RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ.)
0.14
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.14
Total gate charge Qg[nC]
57.0
Power Dissipation (PD)[W]
306.0
Drive Voltage[V]
15.0
Trr (Typ.)[ns]
90
Mounting Style
Leaded type
Bare Die Part Number
Available: K7807
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Eigenschaften:
- Fast reverse recovery time (trr)
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Drive circuits can be simple
- Pb-free plating ; RoHS compliant
