600V 2A TO-252 Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen - R6002END3
Der R6002END3 ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
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Spezifikationen:
Grade
Standard
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Package Size[mm]
6.6x10.0 (t=2.3)
Applications
Power Supply
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
600
Drain Current ID[A]
2.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
2.8
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
2.8
Total gate charge Qg[nC]
6.5
Power Dissipation (PD)[W]
26.0
Drive Voltage[V]
10.0
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching
- Drive circuits can be simple
- Parallel use is easy
- Pb-free plating ; RoHS compliant