600V 2A TO-252 Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen - R6002END3

Der R6002END3 ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | R6002END3TL1
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-252
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-252 (DPAK)

JEITA Package

SC-63

Package Size[mm]

6.6x10.0 (t=2.3)

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

600

Drain Current ID[A]

2.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

2.8

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

2.8

Total gate charge Qg[nC]

6.5

Power Dissipation (PD)[W]

26.0

Drive Voltage[V]

10.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching
  • Drive circuits can be simple
  • Parallel use is easy
  • Pb-free plating ; RoHS compliant