R6504END3
650V 4A TO-252 Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen
R6504END3
650V 4A TO-252 Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen
Die R6xxxENx-Serie sind rauscharme Super Junction MOSFETs, bei denen die einfache Handhabung im Vordergrund steht. Die Produkte dieser Serie erreichen eine hervorragende Leistung für rauschempfindliche Anwendungen zur Reduzierung des Rauschens, wie z.B. Audio- und Beleuchtungsgeräte.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Applications
Power Supply
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
650
Drain Current ID[A]
4
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.955
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.955
Total gate charge Qg[nC]
15
Power Dissipation (PD)[W]
58
Drive Voltage[V]
10
Trr (Typ)[ns]
270
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.2x6.6 (t=2.4)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Parallel use is easy
- Pb-free plating ; RoHS compliant
Produktvideo & Katalog
