R6530ENX
650V 30A TO-220FM Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen

Der R6530ENX ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | R6530ENXC7G
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-220FM
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 50
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TO-220FM

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

650

Drain Current ID[A]

30

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.125

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.125

Total gate charge Qg[nC]

90

Power Dissipation (PD)[W]

86

Drive Voltage[V]

10

Trr (Typ.)[ns]

640

Mounting Style

Leaded type

Bare Die Part Number

Available: K7457

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

10.1x15.1 (t=4.8)

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Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Parallel use is easy
  • Pb-free plating ; RoHS compliant