Nch 650V 35A Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen - R6535ENZ (Neues Produkt)

Die R6xxxENx-Serie sind rauscharme Super Junction MOSFETs, bei denen die einfache Handhabung im Vordergrund steht. Die Produkte dieser Serie erreichen eine hervorragende Leistung für rauschempfindliche Anwendungen zur Reduzierung des Rauschens, wie z.B. Audio- und Beleuchtungsgeräte.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | R6535ENZC17
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-3PF
Einheitenmenge | 300
Minimale Gehäusemenge | 30
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-3PF

Package Size[mm]

26.5x15.5 (t=5.5)

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

650

Drain Current ID[A]

35.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.098

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.098

Total gate charge Qg[nC]

110.0

Power Dissipation (PD)[W]

102.0

Drive Voltage[V]

10.0

Trr (Typ.)[ns]

720

Mounting Style

Leaded type

Bare Die Part Number

Available: K7456

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Parallel use is easy
  • Pb-free plating ; RoHS compliant