R8003KNX (Neues Produkt)
800V 3A TO-220FM, Leistungs-MOSFET für Hochgeschwindigkeitsschalter

Die R8xxxKNx-Serie sind Hochgeschwindigkeits-Schaltprodukte. Es handelt sich um Super Junction MOSFETs, bei denen ein hoher Wirkungsgrad im Vordergrund steht. Die Produkte dieser Serie erreichen einen höheren Wirkungsgrad durch schnelles Schalten. Durch das schnelle Schalten kann ein Beitrag zu einem höheren Wirkungsgrad in PFC- und LLC-Schaltungen geleistet werden.

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Produktdetails

 
Teilenummer | R8003KNXC7G
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-220FM
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 50
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-220FM

Package Size[mm]

15.1x10.1 (t=4.6)

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

800

Drain Current ID[A]

3.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

1.5

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

1.5

Total gate charge Qg[nC]

11.5

Power Dissipation (PD)[W]

36.0

Drive Voltage[V]

10.0

Mounting Style

Leaded type

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching
  • Parallel use is easy
  • Pb-free plating ; RoHS compliant
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Technische Artikel

Schematic Design & Verification

  • Temperature derating method for Safe Operating Area (SOA)
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  • Importance of Probe Calibration When Measuring Power: Deskew
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Thermal Design

  • Method for Calculating Junction Temperature from Transient Thermal Resistance Data
  • Two-Resistor Model for Thermal Simulation
  • Notes for Temperature Measurement Using Thermocouples
  • What is a Thermal Model? (Transistor)
  • Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
  • Measurement Method and Usage of Thermal Resistance RthJC
  • Precautions When Measuring the Rear of the Package with a Thermocouple

Design Tools

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