EM6J1
1,2-V-Ansteuerung Dual P-Kanal MOSFET
EM6J1
1,2-V-Ansteuerung Dual P-Kanal MOSFET
MOSFETs (P+P) komplexen Typs werden als Bauteile mit niedrigem Einschaltwiderstand durch Mikroprozesstechnologien hergestellt und sind für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet. Eine breite Produktpalette deckt kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen ab, um verschiedenen Marktanforderungen gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-563
JEITA Package
SC-107C
Number of terminal
6
Polarity
P+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-20
Drain Current ID[A]
-0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
2.4
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
1
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.8
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
2.4
Total gate charge Qg[nC]
1.4
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
-1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.55)
Eigenschaften:
· Niederspannungs-Ansteuerung (1,2 V)· Dualer P-Kanal Kleinsignal-MOSFET
· Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei / RoHS-konform
