ROHM Product Detail

EM6K31
2.5V-Dual-N-Kanal-MOSFET mit Ansteuerung

Komplexe MOSFETs (N+N) werden durch Mikroverarbeitungstechnologien zu Bauelementen mit geringem Einschaltwiderstand hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Eine breite Palette deckt kompakte, leistungsstarke und komplexe Typen ab, um den verschiedenen Marktanforderungen gerecht zu werden.

Data Sheet Kaufen *
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.

Produktdetails

 
Teilenummer | EM6K31T2R
Status | Aktiv
Gehäuse | EMT6
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 8000
Minimale Gehäusemenge | 8000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-563

JEITA Package

SC-107C

Number of terminal

6

Polarity

N+N

Drain-Source Voltage VDSS[V]

60

Drain Current ID[A]

0.25

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)

3

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

2.3

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

2.1

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

1.7

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

3

Power Dissipation (PD)[W]

0.15

Drive Voltage[V]

2.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

1.6x1.6 (t=0.55)

Find Similar

Eigenschaften:

· 2,5V-Ansteuerung · Dualer N-Kanal Kleinsignal-MOSFET · Kleines SMD-Gehäuse · Bleifrei/RoHS-konform
X

Most Viewed