ROHM Product Detail

EM6K33
1,2V-Ansteuerung Dual-N-Kanal-MOSFET

MOSFETs des komplexen Typs (N+N) werden durch Mikroprozesstechnologien als Bauteile mit niedrigem Einschaltwiderstand hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Eine breite Produktpalette, die kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen abdeckt, um verschiedenen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

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Produktdetails

 
Teilenummer | EM6K33T2R
Status | Aktiv
Gehäuse | EMT6
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 8000
Minimale Gehäusemenge | 8000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-563

JEITA Package

SC-107C

Number of terminal

6

Polarity

N+N

Drain-Source Voltage VDSS[V]

50

Drain Current ID[A]

0.2

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)

2.4

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)

2

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)

1.7

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

1.6

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

2.4

Power Dissipation (PD)[W]

0.15

Drive Voltage[V]

1.2

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

1.6x1.6 (t=0.55)

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Eigenschaften:

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