EM6K34
0,9-V-Dual-N-Kanal-MOSFET
EM6K34
0,9-V-Dual-N-Kanal-MOSFET
MOSFETs des komplexen Typs (N+N) werden als Bauelemente mit niedrigem Durchlasswiderstand durch Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Ein breites Sortiment an kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen, um den verschiedenen Marktanforderungen gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-563
JEITA Package
SC-107C
Number of terminal
6
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
50
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=0.9V(Typ)
3
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
2.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
3
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
0.9
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.55)
Eigenschaften:
- Hochgeschwindigkeits-Schaltung
- Kleines Gehäuse (EMT6)
- Ultraspannungsbetrieb (0,9V-Betrieb)
