HP8M51
100V Komplementärer Leistungs-MOSFET
HP8M51
100V Komplementärer Leistungs-MOSFET
Der HP8M51TB1 ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem kleinen Gehäuse zur Oberflächenmontage. Er eignet sich für Schaltanwendungen. Neu entwickelte Produktpalette mit rückseitiger Wärmeableitung, Dual-MOSFET ideal für Motorantriebe.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8
Number of terminal
8
Polarity
N+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
4.5
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.13
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.12
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.13
Total gate charge Qg[nC]
8.5
Power Dissipation (PD)[W]
7
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x4.9 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines Gehäuse zur Oberflächenmontage (HSOP8)
- Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
