30V Dual Common Drain Pch+Nch Leistungs-MOSFET - HS8MA2

Zwei Pch und Nch 30V MOSFETs (Konfiguration mit gemeinsamem Drain) sind in einem symmetrischen Doppelgehäuse eingebaut. Ideal für Schalt- und Motorantriebsanwendungen.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | HS8MA2TCR1
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSML3333L9 (Drain Common Dual)
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

DFN3333-9DC

Package Size[mm]

3.3x3.3 (t=0.8)

Number of terminal

9

Polarity

Pch+Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

7.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.04

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.025

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.04

Total gate charge Qg[nC]

4.7

Power Dissipation (PD)[W]

4.0

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • Small Surface Mount Package
  • Pb-free plating RoHS compliant
  • Halogen Free