HT8KC5
60V 10A, Dual N-Kanal, HSMT8, Power-MOSFET
HT8KC5
60V 10A, Dual N-Kanal, HSMT8, Power-MOSFET
Der HT8KC5 ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, ideal für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
10
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.099
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.069
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.099
Total gate charge Qg[nC]
1.7
Power Dissipation (PD)[W]
13
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines Hochleistungsgehäuse (HSMT8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
