HT8KE6 (Neues Produkt)
100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET

HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Produktdetails

 
Teilenummer | HT8KE6TB1
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSMT8 (Symmetry Dual)
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

HSMT8D (3.3x3.3)

Number of terminal

8

Polarity

Nch+Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

13

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.056

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.044

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.056

Total gate charge Qg[nC]

3.3

Power Dissipation (PD)[W]

14

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.8)

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Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • High Power small mold Package (HSMT8)
  • Pb-free plating; RoHS compliant
  • Halogen Free
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