HT8KE6H
100V, 12,5 A, Dual-N-Kanal, HSMT8, Power MOSFET
HT8KE6H
100V, 12,5 A, Dual-N-Kanal, HSMT8, Power MOSFET
Der HT8KE6H ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchgangswiderstand und einem leistungsstarken Kleingehäuse (HSMT8). Er eignet sich für Schalt- und Motortreiberanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
12.5
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.059
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.047
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.059
Total gate charge Qg[nC]
4.2
Power Dissipation (PD)[W]
14
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
46
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines Hochleistungs-Spritzgussgehäuse (HSMT8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
