QH8JA1
-20V Dualer P-Kanal-Mittelstrom-MOSFET
QH8JA1
-20V Dualer P-Kanal-Mittelstrom-MOSFET
Der Mittelstrom-MOSFET QH8JA1 eignet sich für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
P+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-20
Drain Current ID[A]
-5
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ)
0.049
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.035
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.028
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.049
Total gate charge Qg[nC]
10.2
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-1.8
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand.
- Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT8)
- -1,8V Ansteuerung.
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
