QH8JE5
-100V Dual P-Kanal, TSMT8, Leistungs-MOSFET
QH8JE5
-100V Dual P-Kanal, TSMT8, Leistungs-MOSFET
QH8JE5 ist ein Power-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, geeignet für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
P+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-100
Drain Current ID[A]
-2
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.22
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.21
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.22
Total gate charge Qg[nC]
10.2
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-4.5
trr (Typ.)[ns]
32
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
